Intel’in CEO’su Gelsinger: 18A teknolojimiz TSMC’nin N2’sinden “bir miktar” iyi

Intel geride kaldığı yarı iletken üretim teknolojisinde son zamanda büyük atılımlar yapmaya başladı. Şirket dört yıl içinde beş yeni üretim düğümü planının son ayağı olan 20A (2nm) ve 18A (1.8nm) süreçlerine geçmeye hazırlanıyor. Intel’in CEO’su Pat Gelsinger, 2024’ün ikinci yarısında kullanılması planlanan Intel 18A teknolojisinin, 2025’in ikinci yarısında gelecek olan TSMC’nin N2 (2nm) teknolojisinden “bir miktar önde” olduğunu iddia ediyor.

Gelsinger, yeni bir röportajında, “İyi bir transistörüm var; harika bir güç dağıtımım var” dedi. “Sanırım TSMC’nin gelecek üretim teknolojisi N2’nin biraz ilerisindeyim.” sözlerini sarfetti.

18A ile iki yeni teknolojiyi geliyor

Intel’in 20A ve 18A üretim süreçleri iki büyük yenilik getiriyor: gate-all-around (GAA) RibbonFET transistörleri ve PowerVia arka taraftan güç dağıtım ağı (BSPDN). 20A düğümü, Intel’in GAA ve BSPDN’nin tüm özelliklerini öğrenmesine olanak tanıyan nispeten kısa ömürlü bir düğüm olması bekleniyor. 18A düğümünde ise Intel, yarı iletken endüstrisinde liderliği yeniden ele geçirmek istiyor. Sonuç olarak şirket bu düğüme büyük umut bağladı.

Intel 18A düğümüyle üretimin 2024’ün ilk çeyreğinde başlayacağını söylüyor. İlk ürünlerin de 2024’ün ikinci yarısında piyasaya sürülmesi bekleniyor. Buna karşılık TSMC, N2 üretim sürecinde üreteceği çipleri 2025’in ikinci yarısında piyasaya sürülecek. Ek olarak, TSMC’nin N2’si nanosheet GAA transistörlere sahip olsa da hâlâ daha az performanslı geleneksel güç dağıtımını kullanıyor. Bunun yanında TSMC, 2024’te kullanıma sunulacak performansı arttırılmış N3P teknolojisinin Intel 18A ile benzer güç, performans ve transistör yoğunluğu sunacağını söylüyor. N2 düğümünün ise N3P ve 18A’dan daha iyi olacağını iddia ediyor.

“Performans ve maliyet konusunda avantajlıyız”

Ancak Gelsinger, 18A’nın N2’ye göre, hem gelişmiş RibbonFET transistörleri, hem de arka taraftan güç sağlama teknolojisiyle özellikle performans konusunda önemli avantajlara sahip olacağını belirtiyor.

Gelsinger, “Sanırım herkes TSMC’nin N2’si ile bizim 18A transistörleri kıyaslıyor. Birinin diğerinden önemli ölçüde daha iyi olduğu net değil. Kimin en iyi olduğunu göreceğiz. Ancak herkes Intel’in arka taraftan güç dağıtımının ekstra puan kazandırdığını söylüyor. Bu teknoloji silikon için daha iyi alan verimliliği sağlıyor, bu da daha düşük maliyet anlamına geliyor. Daha iyi güç dağıtımı sağlıyor, bu da daha yüksek performans anlamına geliyor” açıklamalarında bulundu.

Gelsinger ayrıca, TSMC’nin N2’sinin çok pahalı bir üretim düğümü haline gelebileceğini, bunun da kurumsal kar marjlarına zarar vermeden daha yüksek maliyet verimliliği arayan müşterilerin Intel’in 20A ve 18A üretim süreçlerine yönelebileceğini ifade etti.

Bir yanıt yazın

E-posta adresiniz yayınlanmayacak. Gerekli alanlar * ile işaretlenmişlerdir

xxx